WNSC04650T6J-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:4A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.4V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高效能电力转换中表现出色。其正向导通压降（VF）低至1.4V，有助于减少导通损耗，提升系统整体效率。器件利用碳化硅材料的优异特性，支持高频工作，反向恢复时间极短，适用于高密度电源设计。典型应用场景包括开关模式电源、服务器电源单元、可再生能源逆变装置及高效率DC-DC转换器，适合对热性能和空间布局有严格要求的紧凑型电子设备。
