S3D10065L-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.37V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高压功率转换电路。其正向导通压降（VF）低至1.37V，有效降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具备快速开关能力、较小的反向恢复电荷及良好的热稳定性，适合在高频、高效率电源设计中应用。典型使用场景包括高效AC-DC/DC-DC转换器、不间断电源模块及高密度电源适配器等对性能与可靠性要求较高的场合。
