IDH06G65C6-HXY_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:6A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.36V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.36V。得益于碳化硅半导体材料的特性，器件具备极短的反向恢复时间与极低的开关损耗，支持高频开关操作。其高温稳定性良好，可在较高结温下持续工作。适用于高效率电源转换电路，如大功率开关电源模块、光伏并网逆变装置、高密度DC-DC变换器以及高性能不间断电源系统，有助于提升整体能效并减小系统体积。
