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FFSD0865B-F085-HXY_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:TO-252-2L 类别:碳化硅二极管 最小包装:2500/圆盘 参数1:电流IO:8A 参数2:电压VR:650V 参数3:压降VF:1.4V 标价:欢迎咨询

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产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式配置,具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),适用于中高功率电力转换场合。其正向压降(VF)为1.4V,在同类器件中表现优异,有助于降低导通损耗,提高系统能效。基于碳化硅材料的特性,该器件具备快速反向恢复能力与较低的开关损耗,支持高频工作模式。其热导率高,可在较高结温下稳定运行,适合应用于通信电源、光伏逆变装置、高密度开关电源模块等对效率和功率密度有较高要求的电子系统中。

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