SIC1060PL8-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.37V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具有10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高电压功率转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该二极管具备快速开关响应和优良的热导性能，可支持高频工作模式。广泛应用于高效率电源转换装置、不间断电源系统、可再生能源发电设备以及高密度开关电源模块，满足对小型化、高效化电路设计的需求。
