FFSB0665A-HXY_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:6A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.36V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）可达650V，适用于中高压功率电路。其典型正向导通压降（VF）为1.36V，较传统硅器件更低，有助于降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料特性，具备快速开关响应和优异的高温工作稳定性，可有效减少能量损耗并提高电源转换效率。器件封装便于集成于紧凑型电源系统，适用于高频率直流变换、高效电源模块及对功率密度要求较高的电力电子应用场合。
