IDL04G65C5-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:4A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.4V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为4A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换应用。其正向导通压降（VF）为1.4V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统能效。得益于碳化硅材料特性，器件具有快速开关速度、低反向恢复电荷及良好的高温工作性能。常用于高效电源适配器、不间断电源系统、通信电源模块以及可再生能源发电设备中的整流与防反接电路，适合在高频、高效率拓扑结构中实现紧凑化设计与可靠运行。
