S4D08120E-HXY_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.45V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），适用于高电压、高效率的电力转换环境。其正向导通压降（VF）为1.45V，在高温与高频工作条件下仍能保持稳定的电气性能。得益于碳化硅材料的低反向恢复电荷特性，该二极管可显著降低开关损耗，提升系统效率。典型应用包括高性能电源模块、高效直流变换装置、不间断电源系统以及光伏逆变设备，适用于对功率密度与热管理有较高要求的电路设计。
