SICRF101200-HXY_TO-220F-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.39V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压耐受与较大电流导通的应用环境。其正向压降（VF）为1.39V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升能效并减少热耗散。依托碳化硅材料的宽禁带特性，该二极管具备快速开关能力与优异的高温稳定性。独立封装结构有利于灵活布局与高效散热，常用于高压电源转换、不间断电源系统、光伏逆变装置及高功率密度开关电源等场景，满足对效率与可靠性要求较高的电力电子设计需求。
