S4D08120A-HXY_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.45V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）低至1.45V，有效降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，支持更高的工作温度与开关频率，适用于高功率密度电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变模块及高压直流配电系统，有助于减小被动器件体积并优化热管理设计。
