S4D10120F-HXY_TO-220F-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.39V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复耐压（VR）达1200V，适用于高电压应用环境。其正向导通压降为1.39V（VF），在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高温工作能力与快速开关响应，反向恢复特性理想，可减少开关损耗。典型应用涵盖高压直流电源、高效能逆变系统、不间断电源模块以及高密度开关电源设计，适用于对热性能和转换效率有较高要求的电力电子装置。
