FFSM0465A-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:4A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.4V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的高温工作能力和快速开关特性，反向恢复时间极短，适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于高效开关电源、光伏逆变系统、高密度电源模块及高性能DC-DC转换器中，满足对功率密度和热管理有严苛要求的应用需求。
