STPSC8H065DLF-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.42V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力转换场景。其正向导通压降为1.42V，在高频工作条件下可有效降低导通损耗，提升系统效率。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的开关速度与热导性能，反向恢复电荷极小，有助于减少开关过程中的能量损耗。典型应用包括高效开关电源、直流-直流变换模块、功率因数校正电路及高密度电源适配器，适合对能效、功率密度和热管理有较高要求的电子系统设计。
