C6D08065G-TR-HXY_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.38V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降低至1.38V，有效减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可显著降低开关损耗，适用于高频率、高效率的电源转换设计。典型应用场景包括高效开关电源、高密度功率变换模块及对热管理要求严苛的紧凑型电子设备。
