FFSM0865B-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.42V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式结构，具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），适用于中等功率电压等级的电路设计。其正向导通压降（VF）典型值为1.42V，有助于降低导通损耗，提高能效表现。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高温稳定性和快速开关能力，反向恢复特性理想，适用于高频开关电源、通信电源模块、光伏逆变系统及高密度直流变换装置等应用场景，能够满足对效率、尺寸和热性能有较高要求的电力电子系统设计需求。
