FFSM0865A-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.42V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，额定平均正向整流电流为8A，反向重复峰值电压达650V，可承受较高的电压应力。其正向导通压降为1.42V，在同类器件中表现优异，有助于减少功率损耗。采用碳化硅材料，具备出色的反向恢复特性与高温稳定性，适用于高频率、高效率的电力转换电路，如开关模式电源、不间断电源系统、光伏逆变装置及高功率密度适配器等，能够提升系统整体能效并优化热设计。
