IDL10G65C5XUMA2-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.37V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）典型值为1.37V。基于碳化硅半导体材料，具备出色的开关速度与高温稳定性，反向恢复特性优异，漏电流低。其物理特性支持高频工作环境下的高效能量转换，适用于高密度电源系统，如通信电源、大功率适配器、不间断电源（UPS）及可再生能源发电设备中的整流与防逆流电路，有助于降低系统热损耗并提升功率密度。
