STPSC6H065DLF-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:6A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.32V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该款碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.32V，有助于减少导通损耗并提升系统整体能效。基于碳化硅材料的优异特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复特性优异，可有效降低开关损耗，适用于高效率电源转换设计。其稳定的电气性能和高可靠性，使其广泛用于各类高性能电力电子装置中的整流、续流及能量回馈等电路环节。
