FFSD08120A-HXY_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.45V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和1200V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.45V。器件利用碳化硅材料特性，实现高频、高效率的整流性能，反向恢复时间极短，漏电流低，适用于高开关频率的电源转换场景。其高耐压与高电流承载能力，结合优异的热稳定性，适合用于紧凑型电源模块、高密度开关电源及需要高效能功率管理的电路设计中，有助于提升系统整体能效并减少散热需求。
