FFSM1065B-HXY_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.37V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式设计，额定正向电流（IF）为10A，反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）为1.37V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的开关速度和高温工作能力，反向恢复时间极短，可显著降低开关损耗。适用于高效率电源转换电路，如功率因数校正（PFC）模块、开关模式电源（SMPS）、直流-直流变换器及逆变装置。其高耐压与低导通损耗特性有助于提升系统能效，支持紧凑型、高功率密度的电路设计需求。
