FFSB0665B-F085-HXY_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:6A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.36V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管为独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场合。其正向导通压降（VF）典型值为1.36V，有效降低导通损耗，提升系统效率。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具备出色的开关性能和高温工作能力，可显著减少能量损耗并改善热管理。常用于高密度电源适配器、通信设备电源单元及可再生能源逆变系统中的整流与续流环节，适用于对能效、功率密度和长期稳定性有较高要求的电力电子设计。
