SICR101200-HXY_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.39V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式单管结构，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压与大电流工作环境。其正向导通压降（VF）典型值为1.39V，在同类器件中表现优异，有助于减少导通损耗，提升系统转换效率。依托碳化硅材料的高热导率与高击穿电场特性，该器件具备快速开关能力、低反向恢复电荷及出色的高温工作稳定性。典型应用包括高压电源模块、大功率开关电源、可再生能源逆变系统以及对功率密度和能效要求较高的电力转换装置。
