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DMN62D0U_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:SOT-23 类别:场效应管(MOSFET) 最小包装:3000圆盘 参数1:N沟道 参数2:VDSS/60.0V 参数3:ID/0.3A 参数4:RDON/1000.0mR 标价:欢迎咨询

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产品介绍

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DMN62D0U 是一款高性能N沟道MOSFET,采用小型化SOT-23封装,适用于空间有限的设计项目。该器件拥有60V的高额定电压VDSS,以及最大0.3A的连续漏极电流ID,同时具有出色的导通性能,导通电阻低至1000mR,有效降低功率损耗并提升系统效率。适用于各类电源转换、负载开关及电机驱动等应用场景,是您电路设计的理想选择。

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