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ST16N10_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:TO-252-2L 类别:场效应管(MOSFET) 最小包装:2500圆盘 参数1:N沟道 参数2:VDSS/100.0V 参数3:ID/15.0A 参数4:RDON/100.0mR 标价:欢迎咨询

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产品介绍

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ST16N10 N沟道MOS管,采用紧凑型TO-252-2L封装,适用于100V高电压环境下的中等电流应用。器件提供高达100V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID),确保在高电压系统中的稳定性能表现。其导通电阻RD(on)为100mR,尽管电阻值相对较高,但在合理电流范围内仍能维持高效能。广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等领域,是注重成本与性能平衡的优秀半导体组件。



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