SQD50N06-09L_GE3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/6.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SQD50N06-09L_GE3 是一款高性能N沟道MOSFET，封装采用紧凑型TO-252-2L，旨在优化电路板空间利用。该器件具有强劲的工作电压60V(VDSS)，可持续提供高达80A的漏极电流(ID)，同时以极低的导通电阻6.5mΩ(RD(on))表现出色，从而有效减少能量损失，提升整体电能转化效率。SQD50N06-09L_GE3 适用于开关电源、马达驱动控制等多个领域，是构建高效率、低功耗电子系统的可靠之选。
