中国台湾推出新一代芯片攻关计划，聚焦高速计算、先进制造等四大领域

为巩固在全球先进半导体制造领域的领先地位，中国台湾地区NSTC部门宣布启动一项为期五至十年的专项计划，聚焦高性能芯片关键技术及创新应用研发。该计划由中山大学王卓钦教授领衔，联合台湾大学陆梁鸿教授、阳明交通大学柯明道教授与何拓宏教授共同主持，明确四大核心研究方向：高效能高速计算芯片、高功率高传输电路与芯片模块、边缘计算芯片应用及先进芯片制造技术。
对于节能高速计算芯片，研究团队将重点开发硅基半导体芯片及逻辑与存储一体化系统，通过先进封装技术构建异质整合平台，以支撑高性能芯片系统的量产。针对资金与人力限制，NSTC要求项目末期需完成原型系统验证，其算力需超过每秒千万亿次运算（1 POPS），并支持参数规模超100亿的大型语言模型（LLM）的高维、超大规模计算需求。

高功率高传输电路与芯片模块项目旨在解决高性能计算（HPC）大数据应用中的连接与传输难题。研究将整合硅光子异质集成技术，结合高频高速电路创新设计，构建复杂通信系统，以提升数据传输效率与稳定性。

针对下一代智能感知需求，研究聚焦超低功耗、超低延迟的边缘计算芯片开发，重点突破关键芯片设计及异质软硬件整合技术。项目要求团队提出实际应用场景并完成原型验证，核心指标包括大幅降低计算功耗、提升传感器灵敏度、缩短感知延迟及优化整体能效。
面对传统摩尔定律因光刻波长、掩模尺寸及二维组件微观尺度限制而接近物理极限的挑战，英伟达提出的“超摩尔定律”（Hyper Moore’s Law）强调通过芯片设计、架构及制造工艺的革新，实现每年计算性能翻倍。为此，3D封装技术成为关键，其通过垂直堆叠多芯片提升密度、性能与功能。结合3D器件与3D封装的“3D×3D”技术，将推动晶体管结构从平面鳍式场效应晶体管（FinFET）向亚2纳米纳米片场效应晶体管（NSFET）及互补式场效应晶体管（CFET）升级，并引入背面供电设计，将性能、功耗与面积（PPA）等效指标每两年提升一倍。（校对/赵月）