三星和韩国掩模制造商S&S Tech共同申请EUV薄膜专利

据报道，韩国掩模制造商S&S Tech与三星已在韩国联合申请了一项与极紫外（EUV）薄膜框架相关的专利。该专利的专利号为1020240030406，名称为“用于在光刻中使用的光罩上安装防护膜的框架组件”，该专利于去年3月提交，但具体细节直到最近才公布。

薄膜是一种超薄透明薄膜，用于在芯片生产过程中保护光掩膜。在光刻过程中，当在晶圆上绘制电路图案时，防护膜可以防止颗粒和杂质聚集在光罩表面。防护膜厚度仅为纳米级，必须具有高透光率，并能耐受高温和等离子体环境。

该专利描述了如何利用磁力框架组件将防护膜附着到光掩模上。磁力用于将螺柱附着到框架下方的光掩模和夹具上。这意味着防护膜将立即在光掩模上对准。根据专利，框架也易于拆卸和回收。粘合剂的最低使用量也意味着减少了排气。

今年8月，S&S Tech表示正在投资新设施，以扩大EUV空白掩模和EUV防护膜的生产。

目前，三星的大部分EUV空白掩模都通过日本供应商Hoya生产的。通过与S&S Tech的合作，三星计划在年内实现部分EUV空白掩模生产的本地化。三星还在考虑将S&S Tech和FST作为EUV防护膜的供应商。三星已与FST于2024年共同注册了EUV光罩粘合剂专利。（校对/李梅）