深爱 F系列高压MOSFET ---卓越耐压与高性价比的平衡之道

      

1. 电场分布对耐压的限制：

高压MOS承受反向耐压时，芯片源区边缘因结弯曲易导致电场集中，成为薄弱点，引发过早击穿。        

2. 创新终端结构设计：

深爱半导体F系列采用VLD与浮空场板协同的终端结构设计，通过双重优化机制改善电场分布，显著提升击穿电压与器件可靠性。

2.1 VLD（横向变掺杂）技术解析：

基于离子注入工艺控制，通过调节掩膜开孔尺寸实现掺杂浓度梯度变化形成横向渐变的P型掺杂区，等效增大耗尽层曲率半径。相比传统场限环结构，在相同耐压规格下可缩减终端面积30-50%。难点是剂量需要精确匹配，对设备要求高。 

2.2 浮空场板（Floating FP）技术要点：

通过浮空金属电极的电荷感应效应重构表面电场。优化设计的氧化层厚度可有效抑制场板边缘电场集中。在面积与电场均匀性之间取得平衡。 

2.3 复合结构的协同效应

（1）耐压性能提升：VLD优化体内电场分布，浮空场板改善表面电场，综合提升击穿电压。

（2）成本优势：优化的终端结构减少芯片面积，提升每片晶圆的产出量。

（3）可靠性增强：平滑的电场分布降低热载流子效应，提升器件使用寿命。

3. 应用领域：

工业电源系统、新能源电力转换装置、大功率消费电子。

4. 深爱优势：

在高压应用领域，深爱对FLR和FP技术进行了深度优化。深爱半导体F系列高压MOSFET通过创新的VLD+浮空场板复合终端设计实现了终端结构参数的精确优化、严格的工艺过程控制、量产稳定性和一致性的保障，为客户提供了高可靠性、高性价比的功率器件解决方案。