企业动态

JSM120N03D 30V/120A N 沟道增强型功率 MOSFET

在 DC-DC 转换、电池管理、大功率负载开关等低压电源设计中，硬件工程师总会面临三大核心难题：大电流工况下器件发热严重、高频开关损耗居高不下、浪涌冲击易导致 MOS 管损坏。随着国产功率半导体工艺持续突破，深耕沟槽 MOS 研发制造的杰盛微（JSMSEMI）推出 JSM120N03D N 沟道增强型功率 MOSFET，以 30V/120A 超大规格、毫欧级超低导通内阻、优异雪崩耐受性能，搭配标准化 TO-252 贴片封装，为台式电脑电源、笔记本 BMS、工业负载开关提供一站式国产化高效解决方案。今天我们从核心工艺、参数性能、可靠性、落地应用、PCB 设计指南五大维度，全面拆解这款明星功率器件。

2026-08-15 743 关键词：杰盛微 JSM120N03D 沟槽MOSFET 30V大电流功率器件
HTC6221高效异步升压型1.2A双节锂电池充电器

HTC6221是一款内置异步升压的高集成1.2A电池充电芯片，支持2节串联锂电池充电。

2026-08-15 865 关键词： HTC6221 升压充电IC 双节锂电 1.2A ESOP8
NS2160H 单/双节锂电池充电管理 IC

NS2160H 是一款给单/双节锂电池充电管理芯片，具有较宽的输入工作电压，最大支持输出 2A 充电电流，可以通过外置 RCS 电阻灵活调整充电电流规格。芯片内部降压结构采用 500kHz 的开关频率可以实现较小的元件尺寸和较高的充电效率。芯片内置有 DPM 模块，支持输入适配器自适应充电，以防止适配器能力较弱时无法充电。通过外置分压电阻设置不同的保护阈值电压，可以匹配不同适配器。芯片还有成有 NTC 模块，支持电池温度检测，当电池温度触发高温或低温保护时芯片关闭充电功能；当电池温度恢复正常后可以自动打开充电功能；当 NTC 引脚接 GND 时触发 NTC 禁用功能。

2026-08-15 715 关键词： NS2160H 开关充电IC 2A 单双节锂电 DPM自适应
NS2156E 1.5A 线性锂离子电池充电管理 IC

NS2156E 是一款单节锂离子电池线性充电器。采用涓流充电、恒流充电和恒压充电的三段方式，最大可支持 1.5A 的恒流充电。其内部设置有热调节功能，若客户 PCB 尺寸较小，芯片温度上升较高会触发热调节功能，芯片将自主调节充电电流。芯片内置有 NTC 检测电池温度功能。当 NTC 引脚电压低于 45%VCC 时触发电池过温保护，芯片关闭充电功能；当 NTC 电压高于 80%VCC 时触发电池低温保护，芯片关闭充电功能。芯片 NTC 引脚还兼容了禁用 NTC 功能，客户不需要 NTC 功能时悬空或将 NTC 引脚接 GND 即可。

2026-08-15 1468 关键词： NS2156E 线性充电IC 1.5A 锂电管理 ESOP8
数字DSP功放TAS5805/5825如何高效更改类比功放

数字DSP功放TAS5805/5825如何高效更改类比功放

2026-08-15 776 关键词： AU6815 TAS5805 数字DSP功放引脚兼容配置文件转换
XS200X语音信号处理NPU芯片

XS200X: 是一款专用的语音信号处理NPU芯片，兼顾超低功耗和高强度计算两方面需求。一方面，低功耗芯片技术和人工智能算法支持Always-on唤醒模式，唤醒功耗小于1mA；另一方面，内部有可编程低功耗的神经网络计算引擎和支持SIMD功能的CPU，以及丰富的内存资源，最高频率200MHz，最高同时支持4个模拟 MIC输入或4个数字MIC输入，支持TDM输入及输出。可支持AGC, AEC, 波速成型，去混响，复杂降噪算法，多命令词识别等多种算法，是业界领先的低功耗及高性价比语音信号处理NPU芯片。

2026-08-15 589 关键词： XS200X 语音NPU 超低功耗 AI降噪语音芯片
艾德克斯IT7900电网模拟器在孤岛保护的应用

科瑞杰-近几年光伏能源规模持续扩张，成本骤降，成为能源转型主力。其中逆变器是光伏能源中电能转换核心设备，而孤岛保护是逆变器不可缺少的一个功能。

2026-08-14 751 关键词：艾德克斯 IT7900 电网模拟器防孤岛测试光伏逆变器
JSM80N03D 30V N 沟道增强型功率 MOSFET

在快充电源、锂电管理、小型工控 DC-DC 等低压大电流电路中，功率 MOSFET 作为核心 “电子开关”，导通损耗、散热能力、驱动兼容性、长期可靠性，直接决定整机能效、温升与使用寿命。随着电子产品持续向小型化、高频化、低功耗迭代，市场对 30V 耐压、TO-252 封装的 N 沟道 MOS 需求持续走高。

2026-08-14 712 关键词：杰盛微 JSM80N03D 沟槽MOSFET 低压功率器件国产替代
JSM60N03D 30V N 沟道增强型功率 MOSFET

在 DC-DC 转换、电机驱动、不间断电源等低压大功率电路中，功率 MOSFET 作为电能调控的核心开关器件，直接决定整机转换效率、温升表现与长期运行可靠性。随着国产功率半导体技术持续突破，下游工程师对于低内阻、大电流、高可靠、易量产的 MOS 器件需求持续攀升。

2026-08-14 615 关键词：杰盛微 JSM60N03D 沟槽MOSFET 低压功率器件国产替代
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2026-08-14 1187 关键词：集群科技外贸独立站 GEO优化 SEO自然流量硬件出海