HSM835J/TR13_SMC_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMC 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:40V 参数3：VF:0.55V 参数4：IR:0.1uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为8A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值低至0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流仅为0.1μA，体现出优异的反向截止性能。凭借较低的VF与极小的IR，该器件适用于对能效和热管理要求较高的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、便携设备充电模块及各类高效电源管理系统中。
