HXY70N04NF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:55A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
HXY70N04NF 场效应管 (MOSFET)，采用紧凑的 DFN5X6-8L 封装，提供 55A 的连续漏极电流 (ID) 和 40V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。该器件具有仅 7.5mΩ 的低导通电阻 (RDON)，有效降低能量损耗，提升系统效率。支持 ±20V 栅源电压 (VGS)，确保在不同应用场景下稳定运行。HXY70N04NF 是高效率电路设计的理想选择。
