DMTH10H005SCT-HXY_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:4.1mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管具有100V漏源电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为4.1mΩ，在高电流工作条件下可有效降低导通损耗，减少发热。其低RDON与高电流承载能力使其适用于对效率和热性能要求较高的开关电源系统。广泛用于大功率DC-DC转换器、高性能电源模块、电池管理系统及电机驱动电路，有助于提升系统能效与功率密度，是实现高效电能转换与控制的关键功率器件。
